2SC3603 瑞萨-Renesas_PDF_数据手册_Datasheet_规格书_瑞萨-Renesas产品 - 半导小芯 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

2SC3603

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

制造商

瑞萨-Renesas

NEC-2SC3603.pdf

2021-01-17 21:51:21 更新 66.00KB

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—— 芯片百科 ——

描述

The 2SC3603 is an NPN epitaxial transistor designed for low noise amplification at 0.5 to 4.0 GHz. This transistor has low-noise and high-gain characteristics in a wide collector current region, and has a wide dynamic range.FEATURES
• Low noise : NF = 2.1 dB TYP. @ f = 2.0 GHz
• High power gain : GA = 10 dB TYP. @ f = 2.0 GHz

特性

• Low noise : NF = 2.1 dB TYP. @ f = 2.0 GHz
• High power gain : GA = 10 dB TYP. @ f = 2.0 GHz

应用

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DIO1567 (帝奥微-Dioo)

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SGM7232 (圣邦微-SGM)

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